职位详情
岗位职责：
1.第三代半导体氮化镓/碳化硅功率开关电源应用方案的设计与开发、制作，技术引导客户选用；
2.项目方案选择、电路设计及进度规划；
3.器件驱动电路设计与评估等，样机制作、调试和设计验证工作；
4.协助相关部门进行器件应用异常分析和处理、提供技术支持；
5.参与公司应用方案技术规范标准的编制、与市场或销售完成宣传或选型资料的制作；
6.公司临时交办的相关工作。
岗位要求：
1. 硕士及以上学历，机械及自动化、电力电子、微电子、半导体材料、电路等专业；
2.熟练模电、数电及电力电子专业知识和设计原理，有一定的模拟/数字电路理论及控制基础；
3.熟练各类拓扑结构，ACF、APFC、QR、LLC谐振等软开关电路结构；
4.熟悉电源原理图设计、PCB布局布线，熟悉电源调试、测试工作；
5.熟练应用AutoCAD、Altium Designer、PSIM等电路及PCB设计软件；
6.良好的创新意识和工作责任感，务实敬业，团队合作精神佳，良好的工作计划性及执行力；
7.有一定的英文读写能力，能读懂各种元器件的英文规格书；
8.在校主持完成过相关功率电路设计、器件驱动、控制软件编写等实验课题或比赛更佳。
截止日期：2024年08月31日
招聘人数：2人
公司介绍
先进电力电子技术是清洁性能源转换领域的核心技术，高效率的电力转化是实现节能、环保、低碳社会的重要源动力。其中碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)作为第三代半导体成熟商用材料的典型代表，因具有传统半导体材料所不具备的各种优异特性，已成为高效率、高频率新型电力电子芯片的重点新材料，在新能源汽车、5G、智能电网、高速轨道交通、半导体照明、消费类电子、航天等领域具有重要的应用价值。而且第三代半导体材料及器件已成为当前全球半导体材料产业的前沿和制高点之一，更是属于国家重点支持的战略性新兴产业。
湖南三安半导体有限责任公司是上市公司三安光电股份有限公司的全资子公司（独立核算），业务涵盖碳化硅、氮化镓化合物半导体功率芯片的研发、设计、制造及服务。项目总投资160亿，总占地面积1000亩，建立具有自主知识产权的衬底（碳化硅）、外延、芯片及封装产业生产基地，依托全产业链及大规模生产布局将使得公司节能芯片产品具有高性能、低成本、高可靠性等市场竞争优势。项目在长沙高新技术产业开发区管理委员会园区内投资建设第三代半导体的研发及产业化项目，包括长晶（SiC）—衬底制作（SiC）—外延生长—芯片制备—封装产业链，研发、生产及销售6吋SiC导电衬底、4 吋半绝缘衬底、SiC二极管外延、SiC MOSFET外延、SiC二极管芯片、SiC MOSFET 芯片、碳化硅器件封装二极管、碳化硅器件封装MOSFET；大电流200V、增强型650V等代表性GaN 功率器件三极管外延、芯片。
工商信息
以下信息来自
企业类型
有限责任公司（非自然人投资或控股的法人独资）
统一社会信用代码
91430100MA4RG9WQ7N
